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在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您是否希望找到一颗能“以一当十”的功率开关？STD4N62K3正是这样一款为您量身打造的解决方案。它基于先进的SuperMESH3技术，核心使命就是让您的电源转换或电机控制应用运行得更高效、更可靠。

这颗N沟道MOSFET拥有620V的高耐压和3.8A的电流处理能力，能轻松应对开关电源、照明驱动等场景中的高压挑战。其关键优势在于极低的导通电阻（1.95Ω @10V）和栅极电荷（14nC），这意味着它能显著降低导通与开关过程中的能量损耗，直接提升您的系统整体效率，并简化散热设计。采用DPAK表面贴装封装，让您能更灵活地进行PCB布局，实现产品的小型化。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能核心。

• 型号:STD4N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.95 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD4N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。