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还在为高电流开关应用的效率瓶颈烦恼吗？STD45P4LLF6AG正是为您破局而生的利器！这颗采用STripFET F6技术的40V P沟道MOSFET，拥有惊人的50A连续电流承载能力，同时导通电阻低至15毫欧，能大幅降低导通损耗，让您的电源系统或电机驱动方案运行得更高效、更凉爽。

它专为严苛环境打造，通过AEC-Q101车规认证，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保在汽车电子及工业应用中的超高可靠性。其优化的动态参数（如低栅极电荷）让开关速度更快、损耗更小，您能轻松实现更高频率的设计，提升系统功率密度和响应速度。

选择STD45P4LLF6AG，就是选择了一个性能强大、稳定可靠的核心开关。它将帮助您简化设计、提升产品整体能效和竞争力，是追求卓越性能的工程师不容错过的选择。

• 型号:STD45P4LLF6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3525 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:58W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD45P4LLF6AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。