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还在寻找一颗能兼顾性能与成本的600V级功率开关吗？STD3NM60-1正是为您的中功率应用量身打造。它基于ST先进的MDmesh技术，为您提供高达600V的耐压和3A的连续电流处理能力，让您的电源转换或电机驱动设计拥有坚实的核心。

这颗芯片能为您做什么？它凭借1.5欧姆的低导通电阻和优异的开关特性，显著降低导通与开关损耗，直接提升系统整体能效，让您的产品更节能、发热更少。同时，其稳健的电气特性（如±30V的栅极耐压）和宽工作温度范围，确保了在各种应用环境下的长期可靠性，让您设计更省心，产品寿命更长久。

• 型号:STD3NM60-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:324 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD3NM60-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。