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还在寻找一颗能兼顾高压耐受与高效开关的“心脏”吗？STD3NK80Z-1正是您期待的答案。这颗基于先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有800V的惊人漏源击穿电压，让您在设计AC-DC电源、照明驱动或工业控制电路时，面对高压输入或感性负载关断产生的电压尖峰，依然充满信心。

它不仅仅耐压高，更能让您的系统运行得更“冷静”、更高效。其优化的4.5欧姆导通电阻（@10V Vgs）与仅19nC的低栅极电荷，共同作用，显著降低了导通损耗和开关损耗。这意味着在相同的输出功率下，芯片自身发热更少，系统效率更高，让您轻松达成能效标准，并提升产品的长期可靠性。通孔IPAK封装确保了出色的散热路径，配合宽达-55°C至150°C的工作结温范围，让它能从容应对各种苛刻环境。

• 型号:STD3NK80Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD3NK80Z-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。