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还在为高压电路中的开关损耗和散热问题烦恼吗？STD3NK50Z-1正是为您排忧解难的得力助手。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有500V的高耐压和2.3A的电流处理能力，专为要求苛刻的功率开关应用而设计。

它采用先进的SuperMESH技术，能显著降低导通电阻，从而减少功率损耗，让您的电源设计更高效、更节能。无论是用于开关电源、照明驱动还是电机控制，它都能让您轻松实现稳定可靠的性能。其坚固的I-PAK封装和宽泛的工作温度范围，确保了在各种环境下的长期耐用性，是您构建高品质电力电子系统的理想选择。

• 型号:STD3NK50Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 2.3A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 欧姆 @ 1.15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD3NK50Z-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。