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您正在设计需要强劲、可靠开关性能的电源或电机驱动方案吗？STB25NF06LAG正是为您而来的得力助手！这颗N沟道MOSFET拥有60V的漏源电压和高达25A的连续电流处理能力，让您能轻松驾驭中功率级别的能量转换与负载控制任务。

得益于其5V的低栅极驱动电压，它能与多种控制信号高效协同，显著简化您的电路设计。采用坚固的DPAK表面贴装封装，不仅提供出色的散热性能，也便于自动化生产，助力您提升整体制造效率。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的性能保障。

• 型号:STB25NF06LAG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 25A D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB25NF06LAG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。