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这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭工业电机驱动、变频器和开关电源等应用。其低至2.8V的饱和压降和优化的开关能量（236J开/290J关）直接转化为更低的运行损耗和发热，助您构建更高效、更紧凑的电源系统。高达150°C的结温工作范围和坚固的DPak封装，更确保了其在恶劣环境下的长久稳定运行，大幅提升您产品的市场竞争力。

• 型号:STGB3NC120HDT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 1200V 14A TO-263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:14 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，3A
• 功率 - 最大值:75 W
• 开关能量:236J（导通），290J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:24 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/118ns
• 测试条件:800V，3A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):51 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• STGB3NC120HDT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。