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您是否正在寻找一颗能同时兼顾高效能与高可靠性的高压开关管？STD3N40K3正是为您而来。这颗来自ST意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，拥有400V的耐压和2A的电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻（Rds(on)），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源设计效率更高，发热更少。

它能让您轻松应对反激式转换器、功率因数校正（PFC）以及电机驱动等应用中的高频开关挑战。得益于优化的栅极电荷特性，您可以实现更快的开关速度，从而使用更小的滤波元件，简化设计并降低成本。其坚固的DPAK封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种应用环境中都能稳定运行，是您打造高效、紧凑、可靠电力电子产品的理想选择。

• 型号:STD3N40K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 400V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.4 欧姆 @ 900mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:165 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD3N40K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。