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还在为功率转换效率难以突破而困扰吗？STD36NH02L N沟道MOSFET正是为您破解这一难题而生。它基于意法半导体先进的STripFET III技术，能为您提供高达30A的连续电流处理能力和低至14.5毫欧的优异导通电阻，核心使命就是大幅降低开关和传导损耗。

这颗芯片能让您的设计轻松实现高效的能量管理。其5V/10V的优化驱动电压和极低的栅极电荷，确保了快速、干净的开关动作，显著提升系统响应速度并减少开关噪声。无论是用于同步整流提升电源效率，还是作为电机驱动的核心开关，它都能让您的设备运行更凉爽、更持久，直接将高性能与高可靠性转化为您的产品竞争力。

• 型号:STD36NH02L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.5 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:860 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD36NH02L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。