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还在为功率开关的效率瓶颈而困扰吗？STD35NF06T4就是为您破局而来的利器。这颗采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，旨在让您的电源设计事半功倍。它拥有低至20毫欧的优异导通电阻，能显著降低传导损耗，同时其优化的动态参数助力实现快速开关，全面提升系统能效。

它能让您轻松驾驭高达35A的连续电流和60V的电压，为电机驱动、DC-DC转换和各类电源应用提供强劲而可靠的开关核心。其坚固的DPAK封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种挑战性环境下的稳定表现。选择STD35NF06T4，就是选择了一个高效、可靠且易于驱动的功率解决方案，让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STD35NF06T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD35NF06T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。