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还在为功率转换效率而纠结吗？让STD1HN60K3来为您解决难题！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，是您实现高效、紧凑电源设计的秘密武器。它拥有600V的高耐压和1.2A的电流处理能力，核心优势在于其SuperMESH3技术带来的超低导通电阻，能显著减少开关损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的开关电源、LED驱动或电机控制应用轻松应对严苛的工作环境。其快速的开关特性和低栅极电荷，让驱动设计变得简单，响应更加迅捷。采用DPAK封装，节省空间的同时确保了优异的散热性能。选择STD1HN60K3，就是选择让您的产品在性能与可靠性上赢得先机。

• 型号:STD1HN60K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 600mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:140 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:27W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD1HN60K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。