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STD30PF03LT4 零件图片(仅供参考)

STD30PF03LT4
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STD30PF03LT4 规格参数

还在为寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗和易驱动的P沟道MOSFET而烦恼吗?STD30PF03LT4正是为您而来的解决方案。它能让您轻松驾驭高达24A的连续电流,凭借其仅28毫欧的超低导通电阻,显著降低开关过程中的功率损耗,直接将更高的效率转化为您产品的更长运行时间或更小散热设计压力。

这颗芯片采用先进的STripFET II技术,确保在10V驱动电压下即可实现优异的性能。其优化的栅极电荷和输入电容,让您的驱动电路设计更简单、更高效。无论是用于DC-DC转换器中的同步整流,还是作为负载开关控制大功率通路,STD30PF03LT4都能提供稳定可靠的性能,助您构建更节能、更紧凑的电源管理系统。

  • 型号:STD30PF03LT4
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 24A DPAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):28 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):28 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值):±16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1670 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):70W(Tc)
  • 工作温度:175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:DPAK
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • STD30PF03LT4,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STD30PF03LT4 基本参数:

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