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还在为电源转换效率不高而头疼？STD30NF06就是您提升系统能效的得力助手！这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和28A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅28毫欧@10V）。这意味着当它导通时，能量损耗微乎其微，能让您的电机驱动、DC-DC转换器或电源管理模块运行得更凉爽、更高效。

它采用STripFET II技术，开关性能优异，栅极电荷（Qg）低，让您能轻松实现快速、干净的开关控制，提升系统响应速度。DPAK封装坚固可靠，易于焊接安装，70W的功率耗散能力确保了出色的热稳定性。选择它，就是为您的产品注入了ST意法半导体的卓越品质与稳定基因，让设计更省心，性能更出众。

• 型号:STD30NF06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 28A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1750 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD30NF06，ST（意法半导体）产品一站式供应商。