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您正在寻找一颗能轻松驾驭中高功率开关任务的“核心引擎”吗？STD30NE06LT4正是这样一款为您而生的N沟道MOSFET。它基于意法半导体先进的STripFET技术打造，拥有60V的漏源电压和高达30A的连续电流处理能力，让您在电机驱动、电源转换等应用中，能够高效、可靠地控制功率流。

这颗芯片的核心魅力在于其极低的导通电阻（仅28毫欧@10V），这意味着在导通状态下，它的能量损耗微乎其微，能显著提升您的系统整体效率，并有效降低温升。同时，它具备5V的低阈值驱动电压和快速的开关特性，让您的控制电路设计更为简洁，响应更加迅捷。选择它，就是为您的产品选择了强劲的动力与持久的能效。

• 型号:STD30NE06LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:55W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD30NE06LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。