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还在为高压应用中的开关损耗和热管理头疼吗？让STD2NK100Z来为您分忧！这颗来自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，拥有高达1000V的击穿电压和1.85A的连续电流能力，专为应对严苛的高压环境而生。

它采用先进的MOSFET技术，在10V驱动电压下即可实现优异的导通特性。其极低的栅极电荷和输入电容，让您的开关速度更快，驱动更轻松，从而显著提升系统整体效率。无论是用于开关电源、功率转换还是电机控制，它都能让您的设计更高效、更可靠。

采用表面贴装DPAK封装的STD2NK100Z，在-55°C至150°C的宽广温度范围内都能稳定工作，是您打造坚固耐用、性能卓越产品的理想功率开关选择。

• 型号:STD2NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• STD2NK100Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。