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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和热管理难题而烦恼吗？让STD2N95K5为您带来变革！这颗采用ST先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有950V的超高耐压和仅5欧姆的低导通电阻，能显著降低您的功率损耗，提升系统整体能效。

它能让您轻松驾驭开关电源、LED驱动及工业控制等应用。优异的开关特性（低栅极电荷）配合DPAK封装强大的散热能力，确保您在高功率密度设计中也能实现稳定、可靠的运行。选择它，就是选择了一份高效与安心。

• 型号:STD2N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:105 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD2N95K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。