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还在为高压电源设计的效率瓶颈寻找突破点吗？STD2N80K5正是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，凭借其800V的高耐压和仅4.5欧姆的低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

它集成了先进的SuperMESH5技术，拥有极低的栅极电荷和输入电容，这意味着您可以实现更快的开关速度和更低的驱动损耗。无论是用于开关电源、LED驱动还是功率转换模块，它都能让您轻松应对高压挑战，提升整体能效和可靠性，是追求高性能与高性价比设计的理想选择。

• 型号:STD2N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:95 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD2N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。