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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持高效与可靠的功率MOSFET吗？STD4N52K3正是为您而来。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有525V的高耐压和2.5A的电流能力，专为要求苛刻的电源转换应用而优化。

它能让您的电源设计事半功倍。极低的导通电阻和栅极电荷，大幅降低了开关损耗和导通损耗，从而提升整体能效，让设备运行更凉爽。其坚固的DPAK封装和高达150°C的工作结温，确保了在紧凑空间内的卓越散热与长期稳定运行。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:STD4N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 2.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:334 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD4N52K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。