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还在为寻找一颗能兼顾大电流与低损耗的MOSFET而烦恼吗？让STD27N3LH5来为您排忧解难！这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，专为高效电源转换和电机控制而生。它能在30V电压下承载高达27A的连续电流，而其惊人的低导通电阻（仅19毫欧）能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

得益于STripFET V先进技术，它拥有极低的栅极电荷和输入电容，这意味着您可以轻松实现高速开关，提升电源频率响应，同时简化驱动电路设计。无论是用于同步整流、负载开关还是电机驱动，STD27N3LH5都能让您以紧凑的DPAK封装，获得强大的功率处理能力和卓越的可靠性，轻松应对各种严苛应用挑战。

• 型号:STD27N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 27A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD27N3LH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。