我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STF9NM60N现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为电源转换效率而烦恼吗？STF9NM60N正是为您而来的高效解决方案！这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和6.5A的强大电流能力，能轻松担当起您系统中能量开关的核心角色。

它的超低导通电阻（Rds(on)）能显著减少导通损耗，而优化的动态参数则确保了快速、干净的开关动作。这意味着，无论是用于开关电源、电机驱动还是PFC电路，它都能让您的系统运行得更凉爽、更高效、更安静，直接提升终端产品的性能和可靠性。

• 型号:STF9NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:745 毫欧 @ 3.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:452 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF9NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。