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还在为功率开关器件的效率和发热问题烦恼吗？让STD20N20T4来为您分忧！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有200V的坚固耐压和18A的强大电流处理能力，是您构建高效、可靠电源系统的核心基石。

它采用先进的STripFET II技术，在10V驱动电压下导通电阻极低，能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、能效比更高。同时，其优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速、干净的开关动作，非常适合高频开关电源、电机驱动等应用。选择它，就是选择让您的设计更高效、更稳定。

• 型号:STD20N20T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD20N20T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。