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您是否在寻找一颗能平衡性能、效率与成本的600V级功率开关？STU5N60M2正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体MDmesh II Plus系列的N沟道MOSFET，拥有3.7A的连续电流能力，其核心价值在于极低的1.4欧姆导通电阻（@10V），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

更令人惊喜的是，它具备极低的栅极电荷和输入电容，这意味着更快的开关速度和更简化的驱动电路设计，让您轻松提升系统频率和功率密度。高达150°C的结温工作能力和45W的功率处理能力，确保了其在严苛环境下的卓越可靠性。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲、可靠且高效的动力之心。

• 型号:STU5N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3.7A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 1.85A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:165 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU5N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。