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还在为电源设计中的高压开关难题寻找答案吗？STD1NK80Z-1就是为您量身定制的利器。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达800V的击穿电压和1A的连续漏极电流，让您能轻松驾驭开关电源、LED驱动、家用电器控制等应用中的高压侧开关任务。

它的优势在于极致的高效与可靠。极低的导通电阻（最大16欧姆）和栅极电荷（仅7.7nC），意味着更小的导通损耗和更快的开关速度，直接助力提升您的系统整体能效。同时，其坚固的IPAK通孔封装和45W的功率耗散能力，确保了出色的散热性能和长期运行稳定性。选择STD1NK80Z-1，就是选择让您的设计更精简、性能更强劲、运行更安心。

• 型号:STD1NK80Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD1NK80Z-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。