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还在寻找一颗能轻松驾驭中低压、大电流开关任务的“得力干将”吗？STD19N3LLH6AG正是这样一款经典高效的N沟道功率MOSFET。它基于意法半导体先进的STripFET技术打造，拥有30V的耐压和高达10A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值仅33毫欧），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源转换、电机驱动或负载开关应用运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片专为要求严苛的环境而生，通过了AEC-Q101汽车级认证，能在-55°C到175°C的极端温度范围内稳定工作，可靠性毋庸置疑。其4.5V的低栅极驱动电压让您能轻松兼容多种控制逻辑，而DPAK封装则提供了优异的散热性能和便捷的贴装工艺。选择它，就是为您的系统注入一份经久耐用的高效动能。

• 型号:STD19N3LLH6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:33 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:321 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD19N3LLH6AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。