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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？让STD18N65M5成为您设计的强大心脏。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和15A的强大电流承载能力，专为 demanding 的高压、高频应用而生。

它最核心的价值，在于其MDmesh V技术带来的革命性低损耗。仅220毫欧的超低导通电阻，让电流通过时的发热大幅减少，直接为您提升系统能效，降低散热成本。同时，优化的栅极电荷和电容特性，让开关动作更快、更干净，显著减小开关损耗，使您轻松实现更高频率的设计，让电源模块更小巧、更高效。

无论是构建高效的AC-DC电源、电机驱动器，还是太阳能逆变器，STD18N65M5都能让您的系统运行更凉爽、更稳定、更持久。选择它，就是为您的产品注入了高性能与高可靠性的双重保障。

• 型号:STD18N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD18N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。