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还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又可靠的“核心引擎”吗？STD15N60M2-EP N沟道MOSFET正是为您而来。它基于意法半导体先进的MDmesh M2-EP技术，拥有600V耐压和11A电流能力，能轻松应对开关电源、电机驱动等中等功率应用的严苛要求。

这颗芯片的核心价值在于让您的系统运行得更“冷静”、更高效。其极低的导通电阻与栅极电荷，大幅降低了开关损耗和传导损耗，这意味着更高的能源转换效率和更少的发热，直接帮助您提升产品能效等级并简化散热设计。同时，其坚固的DPAK封装和宽工作温度范围，确保了在各种环境下长久稳定的表现。

选择STD15N60M2-EP，就是选择了一份经过验证的可靠性与卓越的性能。它将帮助您缩短开发周期，优化BOM成本，最终打造出在市场上更具竞争力的高性能产品。

• 型号:STD15N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:378 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD15N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。