我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STD15N60DM6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能同时兼顾高耐压、高效率与高可靠性的功率开关芯片吗？STD15N60DM6就是您的理想答案。这颗基于意法半导体先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和12A的强大电流处理能力，专为应对苛刻的高压开关环境而设计。

它能为您做什么？核心在于其卓越的低损耗特性。338毫欧的超低导通电阻，让电流通过时的能量损耗大幅降低，发热更少；同时，优化的栅极电荷设计确保了快速干净的开关动作，显著减少开关损耗。这两者结合，让您的电源或电机驱动系统轻松实现更高的整体能效和功率密度。无论是提升现有方案的效率，还是开发下一代紧凑型高性能产品，它都能让您的设计工作更加高效、可靠。

• 型号:STD15N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:338 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:607 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD15N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。