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您是否渴望为您的电源或电机驱动应用找到一颗“强力心脏”？STL40N75LF3正是这样一款N沟道功率MOSFET，它能轻松承载高达40A的连续电流，并以低至19毫欧的导通电阻，让电流顺畅通过，从而大幅降低导通损耗，提升整体能效。

这颗芯片采用意法半导体先进的STripFET III技术，不仅拥有75V的耐压和极低的栅极电荷，确保快速、高效的开关性能，还采用了散热出色的PowerFlat封装，让您能在更紧凑的空间内实现更高的功率密度。无论是提升转换效率还是优化热管理，它都能让您的设计工作变得更加轻松高效。

• 型号:STL40N75LF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 40A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:+20V，-16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:75W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL40N75LF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。