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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？让STD150N3LLH6成为您的高效能量开关。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和80A的强大电流吞吐能力，其核心价值在于极低的2.8毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关运行得更“冷静”，电能利用更充分。

它采用ST先进的DeepGATE技术，栅极电荷优化至仅29nC，这意味着更快的开关速度和更低的高频驱动损耗，让您的系统响应迅捷，动态性能出众。DPAK封装易于焊接和散热，配合高达175°C的结温，确保在紧凑空间和高温环境下依然稳定可靠。选择它，就是选择用一颗久经考验的“效能核心”，轻松构建更高效、更可靠的功率解决方案。

• 型号:STD150N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD150N3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。