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您正在寻找一颗能轻松驾驭高功率、同时保持高效与低温运行的“能量开关”吗？STB75NF75LT4正是为此而生。这颗75V/75A的N沟道MOSFET，凭借其极低的导通电阻（典型值仅11毫欧），能大幅减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统效率显著提升，运行更凉爽。

它基于STripFET II技术打造，开关性能优异，栅极电荷（Qg）低，让您能实现更高频率的开关操作，从而优化磁性元件尺寸，助力设计小型化。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和坚固的D2PAK封装，确保了它在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作，是您构建高可靠性电力应用的理想选择。

• 型号:STB75NF75LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 37.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB75NF75LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。