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还在为高压大电流应用的效率与散热头疼吗？STB21N65M5就是您期待的解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的漏源电压和17A的连续漏极电流能力，能轻松应对严苛的功率开关任务。

它的核心魅力在于极低的190毫欧导通电阻和优化的动态参数，能显著降低导通与开关损耗，让您的电源系统运行更高效、更凉爽。高达150°C的工作结温与稳健的D2PAK封装，确保了其在工业驱动、服务器电源等高要求场景下的长久可靠性。选择STB21N65M5，就是为您的设计注入高效与稳定的双重保障。

• 型号:STB21N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB21N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。