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您正在寻找一颗能同时兼顾高压耐受、高效开关与出色可靠性的功率开关管吗？STD13N60M2正是为您而来！这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有600V/11A的强劲规格，能轻松胜任开关电源、电机驱动等应用中的核心开关任务。

它的卓越之处在于，通过优化的内部结构，显著降低了导通电阻和栅极电荷。这意味着在您的高频开关电路中，它能大幅减少能量损耗，让系统运行更凉爽、效率更高，直接帮助您提升终端产品的能效等级和市场竞争力。其坚固的DPAK封装和宽泛的工作温度范围，更能确保在各种复杂环境下长期稳定工作，让您的设计省心又可靠。

• 型号:STD13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD13N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。