我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STD12NM50N现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压开关应用的效率与散热问题烦恼吗？让STD12NM50N为您带来焕然一新的解决方案！这颗N沟道MOSFET拥有500V的坚固耐压和11A的强大电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg），能显著降低导通与开关损耗，直接提升您的电源整机效率，并让热管理变得更加轻松。

它专为要求苛刻的开关模式电源（SMPS）设计而生，无论是AC-DC适配器、工业电源，还是LED驱动和电机控制，都能让您的系统运行更高效、更凉爽、更可靠。其表面贴装的DPAK封装便于自动化生产，而宽广的工作温度范围则确保了在复杂环境下的稳定表现。选择它，就是选择了一份由先进MDmesh II技术背书的高性能与高可靠性。

• 型号:STD12NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD12NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。