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您是否正在寻找一颗能显著提升电源效率、同时保持卓越可靠性的核心功率开关？STD12N50DM2正是为您而来。这颗来自意法半导体MDmesh DM2系列的N沟道MOSFET，集500V高压耐受与11A大电流承载能力于一身，其先进的超结技术让导通电阻降至极低水平，能直接帮助您大幅降低导通损耗，提升整体能效。

它能让您轻松应对开关电源、PFC电路、电机驱动及LED照明等多种应用的严苛要求。优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）确保了快速、高效的功率切换，而DPAK封装则便于您进行紧凑的板级设计。选择STD12N50DM2，就是为您的产品注入一颗高效、稳定、耐用的“强芯”，让您的设计在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STD12N50DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:628 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD12N50DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。