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当您的设计需要驾驭高达180A的电流时，是否担心开关器件的损耗与发热会成为瓶颈？STP315N10F7正是为您突破这一瓶颈而生。这颗100V N沟道MOSFET凭借其革命性的2.7毫欧超低导通电阻，能显著降低通态损耗，让电能更高效地传递，直接帮助您提升系统效率，并简化散热设计。

它集成了意法半导体先进的STripFET VII技术，不仅开关速度快，而且栅极电荷（Qg）低，让您轻松实现高频高效运行。其坚固的TO-220封装和高达315W的耗散功率，确保了在严苛环境下的卓越可靠性。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，STP315N10F7都能让您的产品性能更强劲，运行更稳定。

• 型号:STP315N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP315N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。