我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STD11NM65N现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能大幅提升电源效率、让设计更紧凑的“核心开关”吗？STD11NM65N正是为此而来。这颗来自ST意法半导体MDmesh II家族的650V N沟道MOSFET，拥有11A的连续电流能力，它能为您做什么？它能让您轻松驾驭服务器电源、工业驱动等高要求应用，通过极低的455毫欧导通电阻和快速的开关特性，显著降低能耗与发热，直接提升系统整体能效。

这意味着，您可以设计出更小巧、更安静、运行更凉爽的产品。其坚固的DPAK封装和150°C的高结温，确保了在恶劣环境下的长期稳定运行，让您的产品可靠性脱颖而出。选择STD11NM65N，就是选择了一个经过优化、高效可靠的功率开关解决方案，助您轻松赢得市场先机。

• 型号:STD11NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:455 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD11NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。