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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持极低损耗的“能量指挥官”吗？STFI7N80K5正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体SuperMESH5系列的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和仅1.2欧姆的超低导通电阻，让您在高功率电源、电机控制等应用中，能显著降低导通损耗，提升整体能效，系统运行更凉爽、更持久。

它具备6A的强健电流输送能力，配合优化的栅极电荷与电容特性，确保了开关动作既快速又干净利落。这意味着您能轻松实现更高频率的设计，从而让电源模块更小巧、更高效。无论是面对-55°C到150°C的宽温工作挑战，还是需要通孔安装的稳固性，STFI7N80K5都以出色的电气性能和机械可靠性，为您的设计保驾护航，助您高效打造出更具市场竞争力的高性能产品。

• 型号:STFI7N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAKFP（TO-281）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI7N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。