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您正在寻找一颗能轻松驾驭600V中高压场合，同时保持高效与可靠的功率开关吗？STD11NM60N N沟道MOSFET正是您的理想之选。它基于ST先进的MDmesh II技术打造，为您带来低至450毫欧的优异导通电阻，显著降低功率损耗，让系统运行更凉爽、能效更高。

这颗芯片能为您做什么？它让您能够高效处理高达10A的连续电流，其坚固的600V耐压设计确保在PFC、开关电源、电机驱动等应用中游刃有余。同时，优化的栅极电荷和电容特性让开关速度更快，驱动设计更简单，助您轻松提升整体电源方案的频率和功率密度。

选择STD11NM60N，就是选择了一份来自工业级标准的可靠性承诺。其紧凑的DPAK封装和宽工作温度范围，让您的产品设计在追求高性能的同时，兼顾了空间与鲁棒性，是升级换代或全新设计的明智基石。

• 型号:STD11NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD11NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。