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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，且效率出众的功率开关吗？STGWA20IH65DF正是您的理想之选。这颗650V/40A的沟槽型场截止IGBT，以其低至2.05V的导通压降，显著降低功耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它卓越的开关特性（关断能量仅110J）支持更高频率工作，帮助您优化滤波器和变压器设计，从而减小系统体积与成本。无论是面对工业变频器、光伏逆变器的严苛要求，还是追求家电产品的节能静音，它都能让您轻松实现性能与可靠性的双重飞跃。

• 型号:STGWA20IH65DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:159 W
• 开关能量:110J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:56 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/120ns
• 测试条件:400V，20A，22 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA20IH65DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。