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您正在为高电流开关应用寻找一颗既强劲又高效的“心脏”吗？STD110N8F6 N沟道MOSFET正是您的理想之选。它基于ST先进的STripFET F6技术打造，拥有80V的耐压和高达80A的连续电流处理能力，让您轻松驾驭严苛的功率场景。

这颗芯片的核心价值在于其极低的导通电阻（仅6.5毫欧），能显著减少开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统效率并降低温升。同时，其优化的栅极电荷和坚固的DPAK封装，确保了快速、可靠的开关性能与出色的散热能力，助您构建更紧凑、更高效的电源转换、电机驱动或负载开关解决方案。

• 型号:STD110N8F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9130 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:167W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD110N8F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。