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还在为电源路径上的开关损耗和散热问题头疼吗？STD10P10F6正是您的高效解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有100V的耐压和10A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅180毫欧@5A,10V）和优化的栅极电荷（16.5nC），能显著降低开关和传导损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用坚固的DPAK表面贴装封装，节省空间的同时，凭借40W的功率耗散能力和高达175°C的工作结温，确保了出色的热性能和长期可靠性。无论是用于DC-DC转换、负载开关还是电机控制，STD10P10F6都能让您轻松构建更紧凑、更节能、更可靠的设计，全面提升产品性能。

• 型号:STD10P10F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864 pF @ 80 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD10P10F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。