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还在为高压开关应用的效率与散热头疼吗？STD10NM50N正是为您而来的解决方案！这颗采用ST先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和7A的强大电流处理能力，能轻松驾驭开关电源、电机驱动等高要求场景。

它的核心价值在于让您的系统运行得更“酷”、更高效。极低的导通电阻与优化的动态参数，共同大幅削减了开关损耗和传导损耗，这意味着更少的能量浪费为热量，更多的能量用于驱动您的负载。无论是提升现有产品的能效等级，还是打造更紧凑、更可靠的下一代设计，它都是您值得信赖的功率核心伙伴。

• 型号:STD10NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 7A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD10NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。