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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和易驱动性的高压开关管吗？STD10N60M2正是为您而来。这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有600V/7.5A的强劲规格，其核心价值在于极低的导通电阻与优化的动态参数。

它能显著降低您在开关电源、电机控制或PFC电路中的导通损耗和开关损耗，让您的系统效率轻松提升一个台阶。同时，优异的栅极特性让驱动设计更简单，帮助您有效控制EMI，简化电路布局。选择它，就是选择让您的产品在性能与可靠性上赢得先机。

• 型号:STD10N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD10N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。