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还在寻找一颗能同时满足大电流、低损耗和高可靠性的功率开关吗？STD100N03LT4正是为您而来。它基于意法半导体先进的STripFET技术，拥有30V的耐压和高达80A的连续电流承载能力，而其核心魅力在于极低的5.5毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

这颗芯片能轻松应对快速开关的挑战。其优化的栅极特性（如仅27nC的栅极电荷）让驱动更简单，开关速度更快，从而提升系统整体频率和功率密度。无论是用于同步整流、负载开关还是电机控制，它都能帮助您简化设计，在-55°C至175°C的严苛温度范围内稳定工作，确保最终产品的卓越性能和长久耐用。

• 型号:STD100N03LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2060 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD100N03LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。