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您正在为高压电源转换或电机控制寻找一颗既强健又高效的“心脏”吗？STF19NM50N N沟道MOSFET正是为您而来。它拥有500V的漏源电压和14A的连续漏极电流承载能力，结合其MDmesh II技术带来的超低导通电阻（仅250毫欧），能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽，能效表现大幅提升。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭工业电源、电机驱动等高要求应用。其优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速干净的开关特性，简化驱动设计；TO-220FP封装提供了卓越的散热性能和通孔安装的便利性。选择STF19NM50N，就是选择了一份在高压高功率下的高效与可靠，助您轻松构建更稳定、更耐用的终端产品。

• 型号:STF19NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF19NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。