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还在为寻找一款能兼顾高压、高效与高可靠性的功率开关而烦恼吗？让STB9NK80Z来为您解决难题！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有高达800V的漏源电压和5.2A的连续电流能力，是您构建坚固电源系统的理想基石。

它采用先进的SuperMESH技术，实现了极低的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的设备运行更凉爽、能效更高。其汽车级（AEC-Q101）认证和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了它在最严苛的工业与汽车环境中也能稳定如一，大幅提升您产品的耐用性和市场竞争力。选择它，就是为您的设计注入了高效与可靠的双重保障。

• 型号:STB9NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1138 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB9NK80Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。