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您正在寻找一颗能轻松驾驭700V高压开关任务的“强力心脏”吗？STB9NK70Z-1正是为您而来。这颗N沟道SuperMESH MOSFET，凭借其7.5A的强电流承载能力和低至1.2欧姆的导通电阻，能让您的电源转换效率显著提升，同时大幅降低导通损耗带来的发热问题。

它让您在设计工业电源、电机控制或照明镇流器时更加得心应手。优化的动态参数，如较低的栅极电荷，确保了快速干净的开关性能，帮助您简化驱动电路设计，并有效减少电磁干扰。其坚固的I2PAK封装和宽温度工作范围，更是为产品的长期可靠运行提供了坚实保障。

• 型号:STB9NK70Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 7.5A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB9NK70Z-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。