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还在为电源转换效率瓶颈而烦恼吗？STL50DN6F7双N沟道MOSFET就是为您突破这一限制而生的利器。它凭借仅11毫欧的超低导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效，直接提升终端产品的能效表现和续航能力。

这颗芯片能轻松承载高达57A的连续电流，并拥有60V的漏源电压能力，为您的高功率应用提供坚实保障。同时，其极低的栅极电荷和输入电容，确保了迅猛的开关速度，让您能够设计出更高频率、更高功率密度的方案。采用紧凑的PowerFLAT封装，它不仅能帮您节省宝贵的电路板空间，其优异的散热特性更能让您简化热设计，加速产品上市进程。

• 型号:STL50DN6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 57A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):57A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1035pF @ 30V
• 功率 - 最大值:62.5W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL50DN6F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。