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您正在寻找一颗能扛起中等功率开关重任的“核心引擎”吗？STB9NK60ZDT4正是为您而来。这颗采用先进SuperFREDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有600V的高压耐受力和7A的强劲电流通过能力，能轻松胜任AC-DC开关电源、电机驱动、照明镇流器等应用中的主开关或同步整流角色。

它凭借低至950毫欧的导通电阻和优化的动态特性，能显著降低导通与开关损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。坚固的D2PAK封装确保了出色的散热性能和机械可靠性，让您在设计高密度、高可靠性的电源模块时信心倍增。选择STB9NK60ZDT4，就是选择了一份经过市场验证的高性能与高稳定性。

• 型号:STB9NK60ZDT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1110 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB9NK60ZDT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。