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您正在寻找一颗能扛起高功率转换重任、同时保持冷静高效的“核心开关”吗？STB85NF55T4正是您的理想答案。这颗采用STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有55V耐压和高达80A的电流处理能力，其超低的8毫欧导通电阻能显著减少能量损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松应对严苛的工业环境，其坚固的D2PAK封装和宽广的工作温度范围确保了卓越的可靠性。优化的开关特性（低栅极电荷）进一步助力提升系统频率和整体能效。选择STB85NF55T4，就是为您的产品注入强劲、可靠且高效的动力核心。

• 型号:STB85NF55T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB85NF55T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。